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芯片制造中陶瓷基板的材料应用与发展趋势与芯片清洗剂介绍

9001诚信金沙 👁 1705 Tags:SiC功率器件GaN功率器件器件芯片清洗剂

芯片制造中的陶瓷基板作为关键封装材料,在高功率、高频、高温等场景中扮演重要角色。随着第三代半导体(如SiC、GaN)和先进封装技术的崛起,陶瓷基板的材料创新和工艺优化成为行业焦点。以下是其材料应用与发展趋势的详细分析:

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一、陶瓷基板的核心材料类型及特性

1. 氧化铝(Al₂O₃)

  • 应用现状:最成熟的陶瓷基板材料,占比约70%,成本低、绝缘性好,但导热性一般(20-30 W/m·K)。

  • 典型场景:

    • 中低功率LED封装。

    • 消费电子(如手机射频模块)。

  • 挑战:热膨胀系数(CTE)与芯片材料(如Si)不匹配,高温下易开裂。

2. 氮化铝(AlN)

  • 特性:导热性优异(170-230 W/m·K),CTE接近Si(4.5 ppm/℃),适合高功率场景。

  • 应用:

    • 电动汽车IGBT模块(如特斯拉Model 3 SiC功率模块)。

    • 5G基站射频功放(GaN-on-AlN基板)。

  • 瓶颈:成本高(是Al₂O₃的3-5倍),烧结工艺复杂(需高温氮气环境)。

3. 氮化硅(Si₃N₄)

  • 优势:机械强度高(抗弯强度>800 MPa)、抗热震性强,CTE低(2.5-3.2 ppm/℃)。

  • 应用方向:

    • 新能源汽车电机控制器(如丰田混合动力系统)。

    • 航空航天高温传感器封装。

  • 难点:加工难度大,需超高压烧结(HIP工艺)。

4. 氧化铍(BeO)(逐步淘汰)

  • 历史地位:导热性极佳(330 W/m·K),但毒性高,已被AlN和Si₃N₄替代。

  • 现状:仅限军工等特殊领域,欧盟已禁用。


二、陶瓷基板的关键工艺技术

1. 流延成型(Tape Casting)

  • 流程:陶瓷粉末+有机粘合剂制成薄膜,叠加后烧结。

  • 创新方向:超薄基板(<0.1mm)制备,用于3D封装(如TSV集成)。

2. 直接镀铜(DPC/Direct Plating Copper)

  • 原理:激光打孔+磁控溅射镀铜,实现高精度电路。

  • 优势:线宽/线距可达20μm,适用于高频毫米波芯片。

3. 低温共烧陶瓷(LTCC)

  • 特点:多层陶瓷共烧(<900℃),集成无源元件(电阻、电容)。

  • 应用:5G射频前端模块(如Qorvo的BAW滤波器)。

4. 高温共烧陶瓷(HTCC)

  • 温度:烧结温度>1600℃,金属化材料受限(需W/Mo)。

  • 场景:航天器耐高温封装。


三、陶瓷基板的应用领域扩展

1. 第三代半导体封装

  • SiC/GaN功率器件:要求基板耐高温(>200℃)、高导热,AlN和Si₃N₄成为主流。

    • 例如:Wolfspeed的SiC MOSFET模块采用AlN基板,热阻降低40%。

2. 先进封装(异构集成)

  • 2.5D/3D封装:陶瓷中介层(Interposer)用于连接多芯片。

    • 台积电CoWoS方案中,Al₂O₃基板支持HBM与逻辑芯片互连。

3. 光电子集成

  • 激光器封装:AlN基板用于高功率激光二极管(如Lumentum的100G PAM4模块)。

4. 汽车电子

  • 电动汽车主逆变器:博世采用Si₃N₄基板,寿命提升至150万公里。

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四、陶瓷基板的发展趋势

1. 材料性能极限突破

  • 纳米复合陶瓷:添加纳米颗粒(如SiC纳米线)提升导热和强度。

    • 日本京瓷开发AlN-SiC复合材料,导热性达280 W/m·K。

2. 低成本制造工艺

  • 无压烧结AlN:通过添加Y₂O₃-CaO助烧剂,降低烧结温度至1700℃(传统需1900℃)。

3. 异质集成技术

  • 陶瓷-金属混合基板:如Cu/AlN复合材料(CTE可调至6 ppm/℃),适配不同芯片。

4. 绿色制造

  • 无铅化工艺:替代传统含铅玻璃釉料(如采用Ag-Cu-Ti活性钎料)。


五、行业动态与挑战

1. 主要厂商布局

  • 日本京瓷:全球最大陶瓷基板供应商,2023年量产0.05mm超薄AlN基板。

  • 德国罗杰斯(Rogers):聚焦高频应用,推出RO4000系列LTCC基板,支持77GHz车载雷达。

  • 中国厂商:潮州三环、河北中瓷加速国产替代,但高端AlN基板仍依赖进口。

2. 技术挑战

  • 缺陷控制:基板微孔率需<0.1%,否则影响热传导。

  • 大尺寸化:12英寸基板翘曲问题未解决(当前主流8英寸)。

3. 成本压力

  • AlN基板价格约200/片(Al2O3200/片(Al2O3仅50/片),制约大规模应用。


六、未来展望

  1. 与第三代半导体协同升级:SiC/GaN器件普及将推动AlN基板需求年增15%(Yole预测)。

  2. 超高频应用:6G太赫兹通信需要陶瓷基板介电常数<5(当前LTCC为7-8)。

  3. 智能化制造:AI优化烧结工艺参数,减少能耗30%以上。


陶瓷基板的技术演进将围绕“更高导热、更低损耗、更强可靠性”展开,同时与先进封装、汽车电动化、通信高频化深度绑定。未来5年,AlN和Si₃N₄基板有望占据高端市场60%份额,而材料创新和工艺降本将是竞争核心。


芯片清洗剂选择:

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要,一旦选定,就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种,可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气,通电后发生电化学迁移,形成树枝状结构体,造成低电阻通路,破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层,在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物,还有粒状污染物,例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等,这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物,到底哪些才是最备受关注的呢?助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中,它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分,焊后必然存在热改性生成物,这些物质在所有污染物中的占据主导,从产品失效情况来而言,焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素,离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降,松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大,严重者导致开路失效,因此焊后必须进行严格的清洗,才能保障电路板的质量。

9001诚信金沙研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

9001诚信金沙运用自身原创的产品技术,满足芯片封装工艺制程清洗的高难度技术要求,打破国外厂商在行业中的垄断地位,为芯片封装材料全面国产自主提供强有力的支持。

推荐使用9001诚信金沙水基清洗剂产品。


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